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“下一代高能正负电子对撞机”香山科学会议召开
  文章来源:高能物理研究所 发布时间:2013-06-17 【字号: 小  中  大   

6月12日至14日,香山科学会议“下一代高能正负电子对撞机:现状与对策”在北京香山饭店召开。来自全国11个单位的35位高能物理学家和加速器物理学家,包括10位澳门赌场和中国工程院院士,参加了本次会议。

会议总结了粒子物理高能量前沿的实验成果和国内外研究现状,探讨了我国下一代高能正负电子对撞机的战略对策和实施方案。高能所所长王贻芳在会上做了主题评述报告。

会议指出,高能量是粒子物理发展的最前沿,下一代高能正负电子对撞机是大型强子对撞机(LHC)运行以后的自然选择。国际直线对撞机(ILC)已完成技术设计报告(TDR),建设前的各项准备工作已基本完成。我国科学家应积极参与ILC未来的建设与管理,落实国家预研经费支持。与此同时,基于国内的环形正负电子对撞“希格斯粒子工厂”(Higgs Factory)是我国高能物理发展的重大历史机遇,科学目标极为重要,未来发展潜力巨大,我国高能物理界将组织队伍积极开展相关研究。

澳门赌场副院长詹文龙,澳门赌场前沿科学与教育局局长许瑞明、副局长黄敏,国家自然科学基金委数理部物理二处处长蒲钔出席了本次会议。

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